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TI 11kW三级三相氮化镓ANPC参考设计解析:内置C2000 实时微控制器,满足现代充电桩高性能需求

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TI 11kW三级三相氮化镓ANPC参考设计解析:内置C2000 实时微控制器,满足现代充电桩高性能需求 JPEG Origin Image Download
参考设计中采用集成驱动和保护功能的 LMG3410R050 600V GaN FET,高开关频率可降低损耗,提高效率。多电平方式支持使用 600V 耐压的氮化镓器件,并支持更高开关频率。内置 UCC21541 双通道隔离式栅极驱动器用于驱动硅半桥,内置 AMC3302 隔离放大器用于进行分流式电流感测。